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硅晶碇切片胶晶圆,新疆硅晶碇切片胶,硅晶碇切片胶晶圆,气密性检测 |
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电沉积程序
预处理后,在不同的电流密度(4 mA/cm 2、5 mA/cm 2、7
mA/cm 2、10 mA/cm 2和15 mA/cm 2 )下进⾏电化学沉积
(ECD)⼯艺) 在的时间段内。低电流密度条件(4 mA/cm 2)
和中等电流密度条件(7 mA/cm 2 )的电沉积间隔分别为30
min和10 min。
TSV制作流程会涉及到深刻蚀、PVD、CVD、铜填充、微凸点及RDL电 镀、清
洗、减薄、键合等⼆⼗余种设备,其中通孔制作、绝缘层/阻挡层/ 种⼦层的沉
积、铜填充、晶圆减薄、晶圆键合等⼯序涉及的设备为关 键,在某种程度上
直接决定了TSV的性能指标。
基于玻璃通孔的MEMS封装
2013年,LEE等利用玻璃穿孔技术实现射频MEMS器件的晶圆级封装, 采用电
镀⽅案实现通孔的完全填充,通过该⽅案制作的射频MEMS器件在 20GHz时具
有0.197dB的低插⼊损耗和20.032dB的⾼返回损耗。2018年, LAAKSO等创造性
地使用磁辅助组装的⽅式来填充玻璃通孔,并用于 MEMS器件的封装中。
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