STF11NM50N，ST场效应管原装供货

主营产品：MCU单片、存储芯片、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32F030F4P6特性：
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器集成了Arm®皮质®-工作频率为48 MHz的M0 32位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达256千字节的闪存和高达32千字节的SRAM)，以及广泛的增强型外设和I/o。所有设备都提供标准通信接口(多两个I2Cs、多两个SPI和多六个USARTs)、一个12位ADC、七个通用16位定时器和一个控制PWM定时器。
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器采用2.4至3.6V电源供电，工作温度范围为-40至+85°C。一套全面的省电模式支持低功耗应用的设计。
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器包括四种不同封装的器件，从20引脚到64引脚不等。根据所选的设备，包括不同的外设集。以下描述概述了建议的完整系列STM32F030x4/x6/x8/xC外设。
这些特性使STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器适合各种应用，如应用控制和用户界面、手持设备、A/V接收器和数字电视、PC外设、游戏和GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVACs。
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STFH10N60M2
STFH13N60M2
STFH18N60M2
STFI10NK60Z
STFI13N65M2
STFI13NM60N
STFI15N60M2-EP
STFI24N60M2
STFI26NM60N
STFI31N65M5
STFI9N60M2ST/意法常用型号备有大量现货。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

FERD20M60
60 V、20 A 场效应整流二极管 （FERD）该单整流器基于专有技术，可实现V类中的佳效果F/我R给定硅表面的权衡。
该器件采用 TO-220AB 和 I²PAK 封装，旨在用于开关模式电源的整流和续流操作。
ST其他部分MOSFET型号：
SCTH35N65G2V-7
SCTH35N65G2V-7AG
SCTH50N120-7
SCTH70N120G2V-7
SCTL90N65G2V
SCTW35N65G2VAG
SCTWA35N65G2V-4
SCTWA40N120G2V-4
SCTWA60N120G2-4
SCTWA70N120G2V-4
SCTWA90N65G2V
SCTWA90N65G2V-4
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。

SCTW35N65G2VAG
汽车级碳化硅功率MOSFET 650 V、45 A、55 mOhm（典型值，TJ = 25 C），采用HiP247封装
这款碳化硅功率MOSFET器件采用意法半导体创新的2德·一代碳化硅MOSFET技术。该器件具有极低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STB30N65DM6AG
STB30N65M2AG
STB30N80K5
STB30NF10T4
STB30NF20
STB31N65M5
STB32NM50N
STB33N60DM6
STB33N60M6
STB34N65M5
STB36NM60N
STB36NM60ND
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，我们只做原装，欢迎合作！

STB47N50DM6AG
汽车级N沟道500 V、61 mOhm典型值、38 A MDmesh DM6功率MOSFET，D2PAK封装
符合 AEC-Q101 标准
快速恢复体二极管
较低的RDS（开启）单位面积与上一代相比
低栅极电荷、输入电容和电阻
雪崩测试
的 dv/dt 性
齐纳保护
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STD12NF06LT4
STD13N60DM2
STD13N60M2
STD13N60M6
STD13NM60N
STD13NM60ND
STD140N6F7
STD15N50M2AG
STD15N60DM6
STD15NF10T4
STD15P6F6AG
STD16N50M2
STD16N60M6
STD16N65M2
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！

STD100N10F7
N沟道100 V、0.0068 Ohm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
处于市面上低的 RDS(on) 行列
出色的品质因数（FoM）
较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
坚固的抗雪崩能力
STD100N3LF3：
N沟道30 V、0.0045 Ohm典型值、80 A STripFET(TM) II功率MOSFET，DPAK封装
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STD1NK60-1
STD1NK60T4
STD1NK80ZT4
STD20NF06T4
STD20NF20
STD25N10F7
STD25NF10LA
STD25NF10LT4
STD25NF10T4
STD25NF20
STD26P3LLH6
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！

STFW2N105K5，N沟道1050 V、6 Ohm典型值、1.5 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-3PF封装
STFW45N65M5，N沟道650 V、0.067 Ohm典型值、35 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-3PF封装
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STF10NM60N
STF10P6F6
STF11N50M2
STF11N60DM2
STF11N60M2-EP
STF11N65M2
STF11N65M2(045Y)
STF11N65M5
STF11NM50N
STF11NM60ND
STF11NM65N
STF11NM80
STF12N120K5
STF12N50M2
STF12N65M2
STF12N65M5
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！